Lampu LED Daya PC Power Telecom Power T220 Osg60r180PF-650V ID-60A RDS (ON) -180miliohm QG-23,3nc Transistor Enhancement Mode N-Channel Power Mosfet

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: Tabung Porcelain logam
• Tipe perisai: Tabung Pelindung yang terputus Jarak Jauh
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Tidak. Model.: TO220 OSG60R180PF
• Struktur: Planar
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tingkat Daya: Daya Tinggi
• Material: Silikon
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: Cina
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum

GreenMOS® high voltage MOSFET menggunakan teknologi Charge balance untuk menghasilkan pelepasan tegangan rendah dan rendahnya muatan gerbang. Alat ini direkayasa untuk meminimalkan kerugian konduksi, memberikan kinerja perpindahan superior dan kemampuan longsor yang tangguh.
Seri GreenMOS® Generic dioptimalkan untuk performa switching ekstrem guna meminimalkan kerugian saat switch. Sistem ini dirancang untuk aplikasi dengan kerapatan daya yang tinggi guna memenuhi standar efisiensi yang tertinggi.
 

Fitur

• RDS RENDAH(ON) &  FOM
•  Pengalihan alat ini sangat rendah
• Stabilitas dan  keseragaman unggul

 

Aplikasi

•  Daya PC
• Lampu LED
• Tenaga Telecom  
•  Server Power
• Pengisi Daya EV
• Solar/UPS

 

Parameter Kinerja Utama

 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min @ Tj(maks)	650	V
ID, Pulse	60	A
RDS(ON), MAKS @ VGS=10V	180	mΩ
QG	23.3	NC

Menandai Informasi

 

Nama Produk	Paket	Tanda
OSG60R180PF		OSG60R180P

 

 

Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras tegangan sumber	VDS	600	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini), TC=SBP 25	ID	20	A
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini), TC=SBP 100		12.5
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP	ID, Pulse	60	A
Diode kontinu maju rcurrenc1), TC=25	ADALAH	20	A
Up diode berdenyut 2), TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	60	A
Pembangkang power terhadap 310), TC=SBP 25	PD	151	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	600	J
/dt ketangguhan,=0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS=0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg, Tj	-55 hingga 150	SBP

 

Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.82	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

Karakteristik listrik pada Tj=25 o C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras tegangan kerusakan sumber	BVDSS	600			V	VGS=0 V, ID=250 UA
		650				VGS=0 V, ID=250 UA, Tj=150 SBP
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	2		4	V	VDS=VGS, ID=250 UA
Kuras resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.15	0.18	Ω	VGS=10 V, ID=10 A
			0.38			VGS=10 V, ID=10 A, TJ=150 SBP
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Kuras arus kebocoran sumber	IDS			1	μA	VDS=600 V, VGS=0 V

 

Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		1440		PF	VGS=0 V, VDS=50  V, ƒ=1  MHz
Kapasitansi output			105		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		3.94		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		40.3		ns	VGS=10 V, VDS=480 V, RG=25 Ω, ID=20 A
Waktu kenaikan	tr		49.3		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		60		ns
Waktu turun	tf		59.2		ns

Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		23.3		NC	VGS=10 V, VDS=480 V, ID=20 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		6.6		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		8.3		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		5.6		V

Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.4	V	IS=20 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		367.2		ns	VR=400 V, IS=20 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		4.2		μC
Arus pemulihan balik puncak	Irrm		24.3		A

Catatan

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh  temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan  resistan termal casing sambungan.
4.  Nilai   RθJA   diukur  dengan   perangkat  yang dipasang   pada    4 in 2 FR-1  board  dengan  2oz.  Tembaga, dalam lingkungan yang masih sama dengan Ta=25  C.
5. VDD=150 V, VGS=10 V, L=10.8 MH, memulai Tj=25  C.

Informasi pemesanan

 

Tipe Paket	Unit/Tabung	Tabung/kotak dalam	Satuan/kotak dalam	Kotak dalam/ kotak karton	Unit/kotak karton
-P	50	20	1000	6	6000

Informasi Produk
 

Produk	Paket	Pb Bebas	RoHS	Bebas Halogen
OSG60R180PF		ya	ya	ya

 

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau