Peningkatan transistor Tl Osg60r035t5zf Vds-600V ID-140A RDS (ON) -35johm QG-106nc Untuk pencahayaan LED Daya Saluran N, Mosfet

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: ST
• Tipe perisai: Tabung Pelindung yang terputus Jarak Jauh
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Tidak. Model.: OSG60R035TT5ZF
• Struktur: Planar
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tingkat Daya: Daya Tinggi
• Material: Silikon
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x35cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: China
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
 GreenMOS®  high voltage   MOSFET  menggunakan    teknologi Charge balance  untuk  menghasilkan   pelepasan tegangan rendah dan     rendahnya muatan gerbang.  Alat   ini direkayasa  untuk  meminimalkan   kerugian konduksi, memberikan   kinerja perpindahan superior  dan    kemampuan longsor yang tangguh.
  Seri GreenMOS® Z   diintegrasikan  dengan    fast recovery diode (FRD) untuk  meminimalkan   waktu pemulihan mundur.   Cocok   untuk   topologi switching yang resonan   untuk mencapai   efisiensi yang lebih tinggi,  keandalan yang lebih tinggi,    dan faktor bentuk yang lebih kecil.


Fitur
       RDS RENDAH(ON) &  FOM
         Pengalihan alat ini sangat rendah
       Stabilitas  dan  keseragaman unggul


Aplikasi
       Lampu LED
      Telekomunikasi
      Adapter
      Sver
      Solar/UPS


  Parameter Kinerja Utama

Parameter	Nilai	Satuan
VDS	600	V
ID,  Pulse	140	A
RDS(ON), MAKS  @ VGS  =10V	35	mΩ
QG	106	NC

Menandai  Informasi
 

Nama Produk	Paket	Tanda
OSG60R035TT5ZF	BERBAYAR	OSG60R035TT5Z

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj  =25 C  kecuali   dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras  tegangan sumber	VDS	600	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 25	ID	68	A
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 100		43
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID,  Pulse	140	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 ) , TC=25 SBP	ADALAH	68	A
Up diode  berdenyut  2) , TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	140	A
Pembangkang power terhadap 310) , TC=SBP 25	PD	350	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	250	J
/dt  ketangguhan,  =0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS  =0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg  , Tj	-55 hingga 150	SBP

 Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.36	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tj  =25 C  kecuali   jika dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras           tegangan kerusakan sumber	BVDSS	600			V	VGS  =0 V, ID  =2 MA
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	3.0		5.0	V	VDS  =VGS  , ID  =2 MA
Kuras    resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		32	35	mΩ	VGS  =10 V, ID=25 A
			78			VGS  =10 V, ID=25 A, TJ  =150 SBP
Sumber-gerbang kebocoran  arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS  =30 V
				- 100		VGS  =-30 V
Pengurasan sumber kebocoran  arus	IDS			10	μA	VDS  =600 V, VGS  =0 V
Resistansi gerbang	RG		1.3		Ω	ƒ=1 MHz,  Buka saluran pembuangan

 Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		4180		PF	VGS  =0  V, VDS  =50 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output			278		PF
Kapasitansi  transfer mundur	Lumut		5.3		PF
Kapasitansi  output efektif ,   dan berkaitan dengan energi	Co		183		PF	VGS  =0 V,          VDS  =0 V-400  V
Kapasitansi  output efektif ,   berkaitan dengan waktu	Co(tr)		1060		PF
Aktifkan   waktu tunda	td(on)		27		ns	VGS  =10 V, VDS  =400 V, RG=2 Ω, ID=20  A
Waktu kenaikan	tr		9		ns
Waktu  tunda nonaktifkan	td(off)		79		ns
Waktu turun	tf		2		ns

  Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		106		NC	VGS  =10 V, VDS  =400 V, ID=20  A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		22		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		43		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		6.1		V

  Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=25 A, VGS  =0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		174		ns	VR  =400 V, IS=20 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		1		UC
Arus   pemulihan balik puncak	Irrm		11.4		A

Catatan
1)    menghitung   arus kontinu  berdasarkan      suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.
2)     Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh   temperatur persimpangan maks.
3)    Pd   tergantung    pada suhu persimpangan maks., menggunakan    persimpangan dan ketahanan termal kasus.
4)      nilai   RθJA    diukur  dengan   perangkat  yang dipasang    pada 1 in2 FR-4 board  dengan 2oz. Tembaga, dalam     lingkungan yang masih sama   dengan Ta=25 C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=80 MH, memulai  Tj  =25 SBP



Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau