Mode Peningkatan transistor N-Channel Power Mosfet Pdfn8*8 Osg65r12jf Vds-700V ID-75A RDS (ON) -125ohm QG-41.9nc untuk Telecom Power Solar/UPS

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: Tabung Porcelain logam
• Tipe perisai: Cutting Shelding Tube yang tajam
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Tidak. Model.: PDFN8*8 OSG65R125JF
• Struktur: Difusi
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tingkat Daya: Daya Tinggi
• Material: Silikon
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: China
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
 GreenMOS®  high voltage   MOSFET  menggunakan    teknologi Charge balance  untuk  menghasilkan   pelepasan tegangan rendah dan     rendahnya muatan gerbang.  Alat   ini direkayasa  untuk  meminimalkan   kerugian konduksi, memberikan   kinerja perpindahan superior  dan    kemampuan longsor yang tangguh.
      Seri GreenMOS® Generic     dioptimalkan   untuk       performa switching ekstrem   guna   meminimalkan   kerugian saat switch.  Sistem ini    dirancang  untuk       aplikasi dengan kerapatan daya yang tinggi    guna memenuhi      standar efisiensi yang tertinggi.


Fitur
       RDS rendah(ON) & FOM
         Pengalihan alat ini sangat rendah
       Stabilitas  dan  keseragaman unggul

Aplikasi
       Daya PC
       Lampu LED
      Tenaga Telecom  
       Server Power
       Pengisi Daya EV
      Solar/UPS

  Parameter Kinerja Utama

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min  @ Tj(maks)	700	V
ID,  Pulse	75	A
RDS(ON), MAKS  @ VGS  =10V	125	mΩ
QG	41.9	NC

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj  =25 C  kecuali   dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras  tegangan sumber	VDS	650	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 25	ID	25	A
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 100		16
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID,  Pulse	75	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 ) , TC=25 SBP	ADALAH	25	A
Up diode  berdenyut  2) , TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	75	A
Pembangkang power terhadap 310) , TC=SBP 25	PD	219	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	730	J
/dt  ketangguhan,  =0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS  =0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg  , Tj	-55 hingga 150	SBP

 Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.57	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tj  =25 C  kecuali   jika dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras           tegangan kerusakan sumber	BVDSS	650			V	VGS  =0 V, ID  =1 MA
		700	740			VGS  =0 V, ID  =1 MA, TJ  =150 SBP
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	2.9		3.9	V	VDS  =VGS  , ID  =1 MA
Kuras    resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.115	0.125	Ω	VGS  =10 V, ID=12.5  A
			0.278			VGS  =10 V, ID=12.5 A, TJ  =150 SBP
Sumber-gerbang kebocoran  arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS  =30 V
				- 100		VGS  =-30 V
Pengurasan sumber kebocoran  arus	IDS			1	μA	VDS  =650 V, VGS  =0 V

Catatan
1)    menghitung   arus kontinu  berdasarkan      suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.
2)     Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh   temperatur persimpangan maks.
3)    Pd   tergantung    pada suhu persimpangan maks., menggunakan    persimpangan dan ketahanan termal kasus.
4)      nilai   RθJA   diukur  dengan   perangkat  yang dipasang  pada  4 in 2 FR-1 board  dengan 2oz. Tembaga, dalam     lingkungan yang masih sama   dengan Ta=25 C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=80 MH, memulai  Tj  =25 SBP

Informasi pemesanan  

Paket Tipe	Satuan/ Tabung	Tabung/   kotak dalam	Satuan/    kotak dalam	Kotak dalam/   kotak karton	Unit/      kotak karton
TAMBAH BINTIK PADA 8... 8-L	2500	2	5000	5	25000
TAMBAH BINTIK PADA 8 PTAMBAH 8-S	3000	1	3000	10	30000

 Informasi Produk

Produk	Paket	Pb  Bebas	RoHS	Bebas Halogen
OSG65R12JF	TAMBAH BINTIK PADA 8... 8	ya	ya	ya

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau