Certification: | RoHS, ISO |
---|---|
Shape: | Metal Porcelain Tube |
Shielding Type: | Sharp Cutoff Shielding Tube |
Cooling Method: | Air Cooled Tube |
Function: | Switch Transistor |
Working Frequency: | High Frequency |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi
Deskripsi Umum
GreenMOS® high voltage MOSFET menggunakan teknologi Charge balance untuk menghasilkan pelepasan tegangan rendah dan rendahnya muatan gerbang. Alat ini direkayasa untuk meminimalkan kerugian konduksi, memberikan kinerja perpindahan superior dan kemampuan longsor yang tangguh.Parameter | Nilai | Satuan |
VDS | 650 | V |
ID, Pulse | 96 | A |
RDS(ON), MAKS @ VGS=10V | 99 | mΩ |
QG | 66.6 | NC |
Nama Produk | Paket | Tanda |
OSG65R099HSZAF | TO247 | OSG65R099HSZA |
Parameter | Simbol | Nilai | Satuan |
Kuras tegangan sumber | VDS | 650 | V |
Tegangan sumber-gerbang | VGS | ±30 | V |
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini), TC=SBP 25 | ID |
32 | A |
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini), TC=SBP 100 | 20 | ||
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP | ID, Pulse | 96 | A |
Diode kontinu maju rcurrenc1), TC=25 | ADALAH | 32 | A |
Up diode berdenyut 2), TC=25 SBP | ADALAH, Pulse | 96 | A |
Pembangkang power terhadap 3X ,TC= SBP 25 | PD | 278 | W |
Energi tunggal pulsed maka (pulsed). | EAS | 648 | J |
/dt ketangguhan,=0...480 V | dv/dt | 50 | V/ns |
diode mundur dv/dt, VDS=0... 480 V, ISD≤ID | dv/dt | 50 | V/ns |
Suhu pengoperasian dan penyimpanan | Tstg, Tj | -55 hingga 150 | SBP |
Parameter | Simbol | Nilai | Satuan |
Tahan termal, selubung persambungan | RθJC | 0.45 | SBP C/W |
Tahan termal, sambungan ambi4) | RθJA | 62 | SBP C/W |
Parameter | Simbol | Min. | Tip. | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Kuras tegangan kerusakan sumber | BVDSS | 650 | V | VGS=0 V, ID=1 MA | ||
Tegangan ambang batas gerbang | VGS (th) | 3.0 | 4.5 | V | VDS=VGS, ID=1 MA | |
Kuras resistan pada kondisi sumber |
RDS(ON) |
0.090 | 0.099 | Ω |
VGS=10 V, ID=16 A | |
0.21 | VGS=10 V, ID=16 A, TJ=150 SBP | |||||
Arus kebocoran sumber-gerbang | IGSS |
100 | Tidak tersedia |
VGS=30 V | ||
-100 | VGS=-30 V | |||||
Kuras arus kebocoran sumber | IDS | 10 | μA | VDS=650 V, VGS=0 V | ||
Resistansi gerbang | RG | 7.8 | Ω | ƒ=1 MHz, Buka saluran pembuangan |
Parameter | Simbol | Min. | Tip. | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Kapasitansi input | Swiss | 3988 | PF | VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz |
||
Kapasitansi output | 210 | PF | ||||
Kapasitansi transfer mundur | Lumut | 7.4 | PF | |||
Kapasitansi output efektif, dan berkaitan dengan energi | Co | 124 | PF | VGS=0 V, VDS=0 V-400 V |
||
Kapasitansi output efektif, berkaitan dengan waktu | Co(tr) | 585 | PF | |||
Aktifkan waktu tunda | td(on) | 46.0 | ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=20 A |
||
Waktu kenaikan | tr | 60.3 | ns | |||
Waktu tunda nonaktifkan | td(off) | 93.0 | ns | |||
Waktu turun | tf | 3.7 | ns |
Parameter | Simbol | Min. | Tip. | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Total muatan gerbang | QG | 66.6 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=20 A |
||
Pengisian sumber-gerbang | Pg | 20.6 | NC | |||
Pengisian daya kuras gerbang | Qgd | 24.8 | NC | |||
Tegangan Plateau gerbang | Dataran tinggi | 6.7 | V |
Parameter | Simbol | Min. | Tip. | Maks. | Satuan | Kondisi Pengujian |
Tegangan maju diode | VSD | 1.3 | V | IS=32 A, VGS=0 V | ||
Waktu pemulihan mundur | trr | 151.7 | ns | IS=20 A, Di/dt=100 A/μs |
||
Pengisian daya pemulihan mundur | Qrr | 1.0 | μC | |||
Arus pemulihan balik puncak | Irrm | 12.3 | A |
Pemasok dengan izin usaha terverifikasi