Mode Peningkatan transistor To247 Ost120n65hemf Vces-6V Junction Maximum Temper175, IC, Denyut Vce (SAT) -1.6V QG-261nc N-Channel Power IGBT

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Tidak. Model.: OST120N65HEMF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: China
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
OST120N65HEMF   menggunakan             teknologi Oriental-Semi yang dipatenkan Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM)  untuk  menyediakan    VCE(SAT) yang sangat rendah,   pengisian gerbang yang rendah, dan   kinerja peralihan yang sangat baik.   Perangkat   ini cocok  untuk        konverter frekuensi pengalihan kisaran sedang ke tinggi.



Fitur
        Teknologi TGBTTM tingkat lanjut
       Konduksi dan    hilangnya sakelar sangat bagus
       Stabilitas  dan  keseragaman unggul
          Diode cepat dan paralel lembut



Aplikasi
      PV  terbalik
       Konverter induksi
      Catu daya tak terputus   



  Parameter Kinerja Utama

Parameter	Nilai	Satuan
VCES,  MIN  @ 25 derajat C	650	V
Suhu persimpangan maksimum	175	SBP
IC , pulsa	480	A
VCE(SAT), ttp  @ VGE=15V	1.6	V
QG	261	NC

  Peringkat Maksimum mutlak  pada  Tvj=25 C  kecuali   dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tegangan emitter pengumpul	VCES	650	V
Tegangan emitter gerbang	BIAYA	±20	V
Voltase pemancar gerbang sementara, TP≤10µs, D<0.01		±30	V
Pengumpul kontinu  hanya 1) , TC=25	IC	160	A
Pengumpul Kontinu ) , TC=100		120	A
Pengumpul pulsa  m2 , TC=25	IC , pulsa	480	A
Diode  maju currenc1 ) , TC=25	JIKA	90	A
Diode  maju curr1 ) , TC=100		89	A
Diode berdenyut 2) , TC=25	JIKA pulsa	300	A
Power a23) , TC=25	PD	536	W
Power a3) , TC=100		268	W
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg,  Tvj	-55 hingga 175	SBP

 Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan panas IGBT, kotak sambungan	RθJC	0.28	SBP C/W
Tahan termal diode, kotak sambungan	RθJC	0.38	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	40	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tvj  =25 C  kecuali   jika ditentukan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan kerusakan pengumpul-emitter	V(BR)CES	650			V	VGE  =0 V, IC  =0.5 MA
Tegangan saturasi pengumpul emitter	VCE(SAT)		1.60	1.85	V	VGE  =15 V, IC=120 A TVJ=25 O C
			1.88		V	VGE  =15 V, IC=120 A, TVJ   =125 DERAJAT C
			2.05			VGE  =15 V, IC=120 A, TVJ   =175 DERAJAT C
Tegangan ambang batas pemancar-gerbang	VGE(th) [TH]	3.5	4.5	5.5	V	VCE  =VGE , ID =0.5 MA
Diode  maju tegangan	VF		2.0	2.2	V	VGE  =0 V, JIKA  =120 A Tvj   =25 derajat C
			1.90			VGE  =0 V, JIKA  =120 A, Tvj   =125 derajat C
			1.82			VGE  =0 V, JIKA  =120 A, Tvj   =175 derajat C
Pemancar-emitter kebocoran  arus	BIAYA			100	Tidak tersedia	VCE  =0 V, VGE=20  V
Nol    arus pengumpul tegangan gerbang	ICES			10	μA	VCE  =650 V, VGE  =0 V

 Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Banyak		15022		PF	VGE=0 V, VCE  =25 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output	CoE		297		PF
Kapasitansi  transfer mundur	Cres		10		PF
Aktifkan   waktu tunda	td(on)		109		ns	VGE=15 V, VCC=400 V, RG=10 Ω, IC=120 A
Waktu kenaikan	tr		143		ns
Waktu  tunda nonaktifkan	td(off)		218		ns
Waktu turun	tf		88		ns
Energi yang dinyalakan	EON		6.32		J
Mematikan energi	EOFF		2.76		J
Aktifkan   waktu tunda	td(on)		98		ns	VGE=15 V, VCC=400 V, RG=10 Ω, IC=60  A
Waktu kenaikan	tr		74		ns
Waktu  tunda nonaktifkan	td(off)		252		ns
Waktu turun	tf		47		ns
Energi yang dinyalakan	EON		2.17		J
Mematikan energi	EOFF		0.85		J

  Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		261		NC	VGE  =15 V, VCC=520 V, IC=120 A
Pemancar-emitter  mengisi daya	Qe		110		NC
Pengisian pengumpul gerbang	Qgc		58		NC

  Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Diode  membalik   waktu pemulihan	trr		111		ns	VR  =400 V, JIKA=120 A, Dif/dt=500 A/μs Tvj   = 25 C
Diode    membalik pengisian pemulihan	Qrr		920		NC
Arus pemulihan mundur puncak diode	Irrm		15		A

Catatan
1)    menghitung   arus kontinu  berdasarkan      suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.
2)     Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh   temperatur persimpangan maks.
3)    Pd   tergantung    pada suhu persimpangan maks., menggunakan    persimpangan dan ketahanan termal kasus.



 Informasi Produk

Produk	Paket	Pb  Bebas	RoHS	Bebas Halogen
	TO247	ya	ya	ya

 

Chian Suplai




Deklarasi Produk Hijau