Lampu LED menyala Pdfn 8*8 Paket N-Saluran 800W Daya Semiconductor

• Teknologi Produksi: Perangkat diskret
• Material: Elemen Semikonduktor
• Tipe: N-type Semiconductor
• Paket: PGA(Paket array Grid pin)
• Pemrosesan sinyal: Digital
• Aplikasi: Kulkas
• Tidak. Model.: OSG80R300JF
• Contoh: ULN2003
• Nomor Batch: 2010+
• Merek: Osg80r300jf
• P/N: Osg80r300jf
• berkemas: Pdfn 8*8
• aplikasi: lampu led
• fitur: stabilitas dan keseragaman unggul
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: China
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
GreenMOS®  high voltage  MOSFET  menggunakan  teknologi Charge balance untuk  menghasilkan    pelepasan tegangan rendah dan     rendahnya muatan gerbang.  Alat   ini direkayasa  untuk  meminimalkan   kerugian konduksi,  memberikan   kinerja perpindahan superior dan  kemampuan longsor yang tangguh.
    Seri GreenMOS® Generic  dioptimalkan untuk     performa switching ekstrem guna   meminimalkan    kerugian saat switch.  Sistem ini     dirancang  untuk        aplikasi dengan kerapatan daya yang tinggi     guna memenuhi      standar efisiensi yang tertinggi.

Fitur
.   RDS RENDAH(ON)  &  FOM
.    Pengalihan alat ini sangat rendah
.  Stabilitas dan  keseragaman unggul

Aplikasi
.   Daya PC
.   Lampu LED
.  Tenaga Telecom  
.   Server Power
.   Pengisi Daya EV
.  Solar/UPS

 Parameter Kinerja Utama
 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS,  min  @ Tj(maks)	850	V
ID,  Pulse	45	A
RDS(ON) ,  MAKS  @ VGS=10V	300	mΩ
QG	23.3	NC

Menandai  Informasi
 

Nama Produk	Paket	Tanda
OSG80R300JF	TAMBAH BINTIK PADA 8... 8	OSG80R300J

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj=25 C  kecuali   dinyatakan lain

 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras tegangan sumber	VDS	800	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini)  , TC= SBP 25	ID	15	A
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini)  , TC= SBP 100		9.5
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID,  Pulse	45	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 )  , TC=25  SBP	ADALAH	15	A
Up diode  berdenyut  2)  , TC=25  SBP	ADALAH , Pulse	45	A
Pembangkang power terhadap 310)  , TC=SBP 25	PD	151	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	360	J
/dt  ketangguhan,=0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS=0... 480 V,  ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg, Tj	-55 hingga  150	SBP

Karakteristik termal

 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal,  selubung persambungan	RθJC	0.83	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tj=25 o C  kecuali   dinyatakan lain
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Pengurasan sumber tegangan kerusakan	BVDSS	800			V	VGS=0 V,  ID=250  ΜA
		850				VGS=0 V,  ID=250  μA, Tj=150  SBP
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	2.9		3.9	V	VDS=VGS  ,  ID=250  ΜA
Kuras   resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.24	0.3	Ω	VGS=10 V,  ID=7.5 A
			0.64			VGS=10 V,  ID=7.5 A, TJ=150  SBP
Sumber-gerbang kebocoran arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=30 V
				-  100		VGS=-30 V
Pengurasan sumber kebocoran arus	IDS			5	μA	VDS=800 V, VGS=0 V
Resistansi gerbang	RG		18.2		Ω	ƒ=1  MHz,  Buka saluran pembuangan

Karakteristik dinamis
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		1552		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100  kHz
Kapasitansi output			80.1		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		2.1		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		33.6		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2  Ω, ID=7.5 A
Waktu kenaikan	tr		20.3		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		57.9		ns
Waktu turun	tf		4.5		ns

Karakteristik pengisian gerbang
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		22.7		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=7.5 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		8.6		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		2.3		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		5.5		V

 Karakteristik body
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=15 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		313.7		ns	VR  =400 V, IS=7.5 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		4.2		μC
Arus   pemulihan balik puncak	Irrm		25.2		A

Catatan
1)   menghitung arus kontinu  berdasarkan    suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.  2)     Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh  temperatur persimpangan maks.
3)   Pd   tergantung  pada suhu persimpangan maks. , menggunakan persimpangan dan ketahanan termal kasus.
4)     nilai   RθJA    diukur  dengan   perangkat  yang dipasang   pada    4 in 2 FR-1  board  dengan 2oz.  Tembaga, dalam     lingkungan yang masih sama   dengan Ta=25  C.
5)    VDD=100 V, VGS=10 V,  L=80  MH, memulai  Tj=25  SBP






Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau