Mode Peningkatan transistor N-Channel Power Mosfet T247 Os65r080ht3zf Vds-700V ID-132A RDS (ON) -80miliohm QG-67nc untuk Adaptor Lampu LED

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Tidak. Model.: TO247 OSG65R080HT3ZF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: China
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
 GreenMOS®  high voltage   MOSFET  menggunakan    teknologi Charge balance  untuk  menghasilkan   pelepasan tegangan rendah dan     rendahnya muatan gerbang.  Alat   ini direkayasa  untuk  meminimalkan   kerugian konduksi, memberikan   kinerja perpindahan superior  dan    kemampuan longsor yang tangguh.
  Seri GreenMOS® Z   diintegrasikan  dengan    fast recovery diode (FRD) untuk  meminimalkan   waktu pemulihan mundur.   Cocok   untuk   topologi switching yang resonan   untuk mencapai   efisiensi yang lebih tinggi,  keandalan yang lebih tinggi,    dan faktor bentuk yang lebih kecil.

Fitur
       RDS RENDAH(ON) &  FOM
         Pengalihan alat ini sangat rendah
       Stabilitas  dan  keseragaman unggul

Aplikasi
       Lampu LED
      Adapter
      Telekomunikasi
      Solar/UPS
      Sver

  Parameter Kinerja Utama

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min  @ Tj(maks)	700	V
ID,  Pulse	132	A
RDS(ON), MAKS  @ VGS  =10V	80	mΩ
QG	67	NC

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj  =25 C  kecuali   dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras  tegangan sumber	VDS	650	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 25	ID	44	A
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 100		27.8
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID,  Pulse	132	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 ) , TC=25 SBP	ADALAH	44	A
Up diode  berdenyut  2) , TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	132	A
Pembangkang power terhadap 310) , TC=SBP 25	PD	379	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	600	J
/dt  ketangguhan,  =0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS  =0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg  , Tj	-55 hingga 150	SBP

Informasi pemesanan  

Paket Tipe	Satuan/ Tabung	Tabung/   kotak dalam	Satuan/    kotak dalam	Kotak dalam/   kotak karton	Unit/      kotak karton
TO247-J	30	20	600	4	2400

 Informasi Produk
 

Produk	Paket	Pb  Bebas	RoHS	Bebas Halogen
OSG65R080HT3ZF	TO247	ya	ya	ya

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau