Mode Peningkatan transistor N-Channel Power Mosfet Pdfn5*6 Sfg15r25GF Vd-150V ID-180A RDS (ON) -25miliohm QG-42,8nc untuk Catu Daya Mode dengan sakelar

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: ST
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Tidak. Model.: PDFN5*6 SFG15R25GF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Paket Transportasi: Carton
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: China
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
SFGMOS®   MOSFET   didasarkan pada       desain perangkat unik Oriental Semiconductor   yang akan mencapai  RDS rendah(ON),   rendah gate, fast  switching  dan    karakteristik longsor yang luar biasa.     Seri Vth yang rendah   dirancang khusus   untuk menggunakan      sistem daya sertifikasi ulang sinkron  dengan    voltase penggerak rendah.
 

Fitur
       RDS RENDAH(ON) &  FOM
         Pengalihan alat ini sangat rendah
       Stabilitas  dan  keseragaman unggul
       Perpindahan cepat  dan   pemulihan lunak


Aplikasi
       Pengisi daya PD
       Penggerak motor
        Regulator tegangan pengalihan
       Konverter DC-DC
         Catu daya mode alih


  Parameter Kinerja Utama

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min  @ Tj(maks)	150	V
ID,  Pulse	180	A
RDS(ON), MAKS  @ VGS  =10V	25	mΩ
QG	42.8	NC

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj  =25 C  kecuali   dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tegangan sumber pengurasan	VDS	150	V
Tegangan sumber gerbang	VGS	±20	V
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 25	ID	60	A
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID,  Pulse	180	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 ) , TC=25 SBP	ADALAH	60	A
Up diode  berdenyut  2) , TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	180	A
Pembangkang power terhadap 310) , TC=SBP 25	PD	100	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	2.4	J
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg , Tj	-55 hingga 150	SBP

 Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	1.25	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tj  =25 C  kecuali   jika dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras           tegangan kerusakan sumber	BVDSS	150			V	VGS  =0 V, ID  =250 ΜA
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	1.5		2.5	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Pengurasan sumber  resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		20	25	mΩ	VGS  =10 V, ID=30 A
Pengurasan sumber  resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		25	30	mΩ	VGS  =4.5 V, ID=20  A
Sumber-gerbang kebocoran  arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS  =20 V
				- 100		VGS  =-20 V
Pengurasan sumber kebocoran  arus	IDS			1	μA	VDS  =150 V, VGS  =0 V
Resistansi gerbang	RG		4		Ω	ƒ=1 MHz,  Buka saluran pembuangan

 

Informasi pemesanan  

Paket Tipe	Satuan/ Tarik	Kumpulan Foto  /     kotak dalam	Satuan/    kotak dalam	Kotak dalam/   kotak karton	Unit/      kotak karton
PDFN5*6-C	5000	2	10000	5	50000

 Informasi Produk

Produk	Paket	Pb  Bebas	RoHS	Bebas Halogen
SFG15R25GF	PDFN5*6	ya	ya	ya

 

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau