Transistor regulator Pemulihan Cepat

• Certification: RoHS, ISO
• Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
• Installation: Plug-in Triode
• Working Frequency: High Frequency
• Power Level: Medium Power
• Function: Power Triode, Switching Triode
• Tidak. Model.: OSG65R038HZAF TO247
• Structure: NPN
• Material: Silicon
• deskripsi: pengalihan alat berat yang sangat rendah
• karakteristik: stabilitas dan keseragaman unggul
• aplikasi: daya pc
• industri: lampu led
• tipe: stasiun pengisian daya ev cepat
• garansi: 24 bulan
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: TO247
• Merek Dagang: Orientalsemiconductor
• Asal: China
• Kode HS: 854129000
• Kapasitas Produksi: 20kkkk/Monthly

Deskripsi Produk

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum

GreenMOS® high voltage MOSFET menggunakan teknologi Charge balance untuk menghasilkan pelepasan tegangan rendah dan rendahnya muatan gerbang. Alat ini direkayasa untuk meminimalkan kerugian konduksi, dan memberikan kinerja perpindahan yang superior dan kemampuan longsor yang tangguh.
Seri GreenMOS® Z diintegrasikan dengan fast recovery diode (FRD) untuk meminimalkan waktu pemulihan mundur. Cocok untuk topologi switching yang resonan untuk mencapai efisiensi yang lebih tinggi, keandalan yang lebih tinggi, dan faktor bentuk yang lebih kecil.

Fitur                                                                                                    

• RDS rendah(ON) & FOM
• Pengalihan alat ini sangat rendah
• Stabilitas dan keseragaman unggul
• Diode bak yang ultra cepat dan kokoh
• AEC-Q101 memenuhi syarat untuk Aplikasi otomotif

Aplikasi

• Daya PC
• Tenaga Telecom
• Server Power
• Pengisi Daya EV
• Penggerak motor

Parameter Kinerja Utama

 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS	650	V
ID, Pulse	240	A
RDS(ON), MAKS @ VGS=10V	38	mΩ
QG	175	NC

Menandai Informasi

 

Nama Produk	Paket	Tanda
OSG65R038HZAF	TO247	OSG65R038HZA

Informasi Paket & pin
 

 Pengujian HTRB dilakukan pada 600V lebih ketat daripada AEC-Q101 rev.C (80% V(BR)DSS). Semua pengujian lain dilakukan sesuai dengan AEC Q101

 

Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras tegangan sumber	VDS	650	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 25	ID	80	A
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 100		50
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP	ID, Pulse	240	A
Diode kontinu maju rcurrenc1^), TC=25	ADALAH	80	A
Up diode berdenyut 2^), TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	240	A
Pembangkang power terhadap 3X ,TC= SBP 25	PD	500	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	2048	J
/dt ketangguhan,=0...480 V	dv/dt	100	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS=0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg, Tj	-55 hingga 150	SBP

Karakteristik termal
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.25	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

Karakteristik listrik pada Tj=25 o C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras tegangan kerusakan sumber	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 MA
Tegangan ambang batas gerbang	VGS (th)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		0.032	0.038	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0.083			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 SBP
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Kuras arus kebocoran sumber	IDS			10	μA	VDS=650 V, VGS=0 V
Resistansi gerbang	RG		2.1		Ω	ƒ=1 MHz, Buka saluran pembuangan

Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		9276		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output			486		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		12.8		PF
Kapasitansi output efektif, dan berkaitan dengan energi	Co		278		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V
Kapasitansi output efektif, berkaitan dengan waktu	Co(tr)		1477		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		55.9		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Waktu kenaikan	tr		121.2		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		114.2		ns
Waktu turun	tf		8.75		ns

Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		175.0		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		40.1		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		76.1		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		6.4		V

Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=80 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		180		ns	IS=30 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		1.5		UC
Arus pemulihan balik puncak	Irrm		15.2		A

Catatan

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan resistan termal casing sambungan.
4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 MH, memulai Tj=25 C.