Lampu LED EV Charger Osg60r028htf T247 Vds 650V RDS28mΩ Mosfet

• Teknologi Produksi: Perangkat diskret
• Material: Silicon Wafers
• Tipe: P-jenis Semikonduktor
• Paket: To247
• Pemrosesan sinyal: Fungsi dan Komposit Digital Analog
• Aplikasi: lampu led
• Tidak. Model.: OSG60R028HTF TO247
• Contoh: Osg60r028htf
• Nomor Batch: 2024+
• Merek: Orientalsemi
• deskripsi: pengalihan alat berat yang sangat rendah
• karakteristik: stabilitas dan keseragaman unggul
• aplikasi: daya pc
• industri: lampu led
• Paket Transportasi: Air
• Spesifikasi: TO247
• Merek Dagang: Orientalsemiconductor
• Asal: China
• Kode HS: 854129000
• Kapasitas Produksi: 20K/Monthly

Deskripsi Produk

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum

GreenMOS^® high voltage MOSFET  menggunakan teknologi Charge balance untuk menghasilkan pelepasan tegangan rendah dan rendahnya muatan gerbang. Alat ini direkayasa untuk meminimalkan kerugian konduksi, memberikan kinerja perpindahan superior dan kemampuan longsor yang tangguh.
 Seri GreenMOS® Generic dioptimalkan untuk performa switching ekstrem guna meminimalkan kerugian saat switch. Sistem ini dirancang untuk aplikasi dengan kerapatan daya yang tinggi guna memenuhi standar efisiensi yang tertinggi.


Fitur

•  RDS RENDAH(ON)  &  FOM
•    Pengalihan alat ini sangat rendah
•  Stabilitas  dan  keseragaman unggul

Aplikasi

•  Daya PC
•  Lampu LED
• Tenaga Telecom  
•  Server Power
•  Pengisi Daya EV
• Solar/UPS

 

  Parameter Kinerja Utama
 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS,  min  @  Tj(maks)	650	V
ID,  Pulse	240	A
RDS(ON) ,  MAKS  @ VGS=10V	28	mΩ
QG	181.8	NC

Menandai  Informasi

 

Nama Produk	Paket	Tanda
OSG60R028HTF	TO247	OSG60R028HT

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj=25 C  kecuali   dinyatakan lain
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras  tegangan sumber	VDS	600	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^),  TC= SBP 25	ID	80	A
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^),  TC= SBP 100		50
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP	ID,  Pulse	240	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 ^),  TC=25	ADALAH	80	A
Up diode  berdenyut  2^),  TC=25  SBP	ADALAH , Pulse	240	A
Pembangkang power terhadap 310^),  TC= SBP 25	PD	455	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	1850	J
/dt  ketangguhan, =0...480  V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt,  VDS=0... 480  V,  ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg, Tj	-55 hingga   150	SBP

 Karakteristik termal
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal,  selubung persambungan	RθJC	0.27	SBP C/W
Tahan termal,  sambungan ambi4^)	RθJA	62	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tj=25 o C  kecuali   dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras  tegangan kerusakan sumber	BVDSS	600			V	VGS=0  V,  ID=1  MA
		650				VGS=0  V,  ID=1  mA, Tj=150 SBP
Tegangan ambang batas gerbang	VGS (th)	2.9		3.9	V	VDS=VGS,  ID=2  MA
Kuras  resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.024	0.028	Ω	VGS=10  V,  ID=40  A
			0.06			VGS=10  V,  ID=40A, TJ=150 SBP
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=30  V
				-100		VGS=-30  V
Kuras  arus kebocoran sumber	IDS			1	μA	VDS=600  V,  VGS=0  V
Resistansi gerbang	RG		2.2		Ω	ƒ=1  MHz,   Buka saluran pembuangan

 Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		7373		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100  kHz
Kapasitansi output			504		PF
Kapasitansi  transfer mundur	Lumut		17		PF
Aktifkan   waktu tunda	td(on)		42.5		ns	VGS=10 V, VDS=400  V, RG=2 Ω, ID=40 A
Waktu kenaikan	tr		71		ns
Waktu  tunda nonaktifkan	td(off)		126.6		ns
Waktu turun	tf		3.7		ns

  Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		181.8		NC	VGS=10 V, VDS=400  V, ID=40 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		36.5		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		49.5		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		5.5		V

  Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=80  A, VGS=0  V
Waktu pemulihan mundur	trr		584		ns	VR=400  V, IS=40 A, Di/dt=100  A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		12.8		μC
Arus   pemulihan balik puncak	Irrm		39.8		A

Catatan

1.   Arus kontinu terhitung  berdasarkan      temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2.  Peringkat berulang;   lebar pulsa  dibatasi  oleh    temperatur persimpangan maks.
3. PD   didasarkan     pada temperatur sambungan maks. , menggunakan    resistan termal casing sambungan.
4.  Nilai   RθJA   diukur  dengan   perangkat  yang dipasang   pada    4 in 2 FR-1  board  dengan  2oz.  Tembaga, dalam lingkungan yang masih sama dengan Ta=25 C.
5. VDD=100  V,  VGS=10  V,  L=79.9  MH,  memulai  Tj=25  C.