Otomotif IGBT yang diskret dalam Paket ke-247AC

• Manufacturing Technology: Integrated Circuits Device
• Material: Compound Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: DIP(Dual In-line Package)
• Signal Processing: Simulation
• Application: Solar Cell
• Tidak. Model.: OST40N120HMF
• Model: Orientalsemi
• Batch Number: 2022
• Brand: Orientalsemi
• P/N: Ost40n120hmf
• berkemas: To247
• aplikasi1: konverter induksi
• aplika2: catu daya tak terputus
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35.3x30x37.5/60x23x13
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: China
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum

OST40N120HMF menggunakan teknologi Oriental-Semi yang dipatenkan Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) untuk menyediakan VCE(SAT) yang sangat rendah, pengisian daya gapura rendah, dan kinerja peralihan yang sangat baik. Perangkat ini cocok untuk konverter frekuensi pengalihan kisaran sedang ke tinggi.

Fitur

• Teknologi TGBTTM tingkat lanjut
• Konduksi dan hilangnya sakelar sangat bagus
• Stabilitas dan keseragaman unggul
• Diode cepat dan paralel lembut

Aplikasi

• Konverter induksi
• Catu daya tak terputus

Parameter Kinerja Utama

 

Parameter	Nilai	Satuan
VCES, MIN @ 25 derajat C	1200	V
Suhu persimpangan maksimum	175	SBP
IC, pulsa	160	A
VCE(SAT), ttp @ VGE=15V	1.45	V
QG	214	NC

Menandai Informasi

 

Nama Produk	Paket	Tanda
OST40N120HMF	TO247	OST40N120HM

 

Peringkat Maksimum mutlak pada Tvj=25 C kecuali dinyatakan lain
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tegangan emitter pengumpul	VCES	1200	V
Tegangan emitter gerbang	BIAYA	±20	V
Voltase pemancar gerbang sementara, TP≤0.5µs, D<0.001		±25	V
Pengumpul kontinu hanya 1^), TC=25	IC	56	A
Pengumpul Kontinu), TC=100		40	A
Pengumpul pulsa m2, TC=25	IC, pulsa	160	A
Diode maju currenc1^), TC=25	JIKA	56	A
Diode maju curr1^), TC=100		40	A
Diode berdenyut 2^), TC=25	JIKA pulsa	160	A
Power a23^), TC=25	PD	357	W
Power a3^), TC=100		179	W
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg, Tvj	-55 hingga 175	SBP
Waktu tahan hubung-singkat VGE=15 V, VCC≤600 V Jumlah hubung singkat yang diizinkan<1000 kali antara hubung-singkat:≥1.0 S. Tvj=150 SBP	TSC	10	μs

Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan panas IGBT, kotak sambungan	RθJC	0.42	SBP C/W
Tahan termal diode, kotak sambungan	RθJC	0.75	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	40	SBP C/W

 

Karakteristik listrik pada Tvj=25 C kecuali jika ditentukan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan kerusakan pengumpul-emitter	V(BR)CES	1200			V	VGE=0 V, IC=0.5 MA
Tegangan saturasi pengumpul emitter	VCE(SAT)		1.45	1.8	V	VGE=15 V, IC=40 A TVJ=25 O C
			1.65		V	VGE=15 V, IC=40 A, TVJ =125 O C
			1.8			VGE=15 V, IC=40 A, TVJ =175 O C
Pemancar-emitter tegangan ambang batas	VGE(th) [TH]	4.8	5.8	6.8	V	VCE=VGE, ID=0.5 MA
Tegangan maju diode	VF		1.9	2.1	V	VGE=0 V, JIKA=40 A TVJ =25 O C
			1.6			VGE=0 V, JIKA=40 A, TVJ =125 O C
			1.5			VGE=0 V, JIKA=40 A, TVJ =175 O C
Pemancar-emitter kebocoran arus	BIAYA			100	Tidak tersedia	VCE=0 V, VGE=20 V
Nol arus pengumpul tegangan gerbang	ICES			10	μA	VCE=1200 V, VGE=0 V.

 

Karakteristik dinamis
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Banyak		11270		PF	VGE=0 V, VCE=25 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output	CoE		242		PF
Kapasitansi transfer mundur	Cres		10		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		120		ns	VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 Ω, IC=40 A
Waktu kenaikan	tr		88		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		246		ns
Waktu turun	tf		160		ns
Energi yang dinyalakan	EON		3.14		J
Mematikan energi	EOFF		1.02		J
Aktifkan waktu tunda	td(on)		112		ns	VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 Ω, IC=20 A
Waktu kenaikan	tr		51		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		284		ns
Waktu turun	tf		148		ns
Energi yang dinyalakan	EON		1.32		J
Mematikan energi	EOFF		0.53		J

Karakteristik pengisian gerbang
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		214		NC	VGE=15 V, VCC=960 V, IC=40 A
Pemancar-emitter mengisi daya	Qe		103		NC
Pengisian pengumpul gerbang	Qgc		40		NC

Karakteristik body
 

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Diode membalik waktu pemulihan	trr		293		ns	VR=600 V, IF=40 A, Dif/dt=500 A/μs Tvj = 25 C
Diode membalik pengisian pemulihan	Qrr		2.7		μC
Arus pemulihan mundur puncak diode	Irrm		25		A

Catatan

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan resistan termal casing sambungan.
4. Nilai RθJA diukur dengan perangkat yang dipasang pada 1 in2 FR-4 board dengan 2oz. Tembaga, dalam lingkungan yang masih sama dengan Ta=25 C.

 

Versi 1: Dimensi kerangka paket TO247-P

Informasi pemesanan
 

Tipe Paket	Unit/Tabung	Tabung/kotak dalam	Satuan/kotak dalam	Kotak dalam/ kotak karton	Unit/kotak karton
TO247-P	30	11	330	6	1980

Informasi Produk
 

Produk	Paket	Pb Bebas	RoHS	Bebas Halogen
OST40N120HMF	TO247	ya	ya	ya

Sanggahan Legal
Informasi yang diberikan dalam dokumen ini tidak boleh dianggap sebagai jaminan kondisi atau karakteristik. Sehubungan dengan setiap contoh atau petunjuk yang diberikan di sini, setiap nilai umum yang dinyatakan di sini dan/atau setiap informasi terkait penerapan perangkat, Oriental Semiconductor dengan ini menyangkal semua garansi dan kewajiban segala bentuk, termasuk tanpa pembatasan, jaminan bukan pelanggaran hak kekayaan intelektual dari pihak ketiga mana pun.

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau