Peningkatan transistor Pdfn5*6 Sfg10r08GF Vds-100V ID-300A RDS (ON) -7miliohm QG-60.7nc Untuk konverter DC-DC memiliki sakelar Daya Saluran N-Saluran Power Mosfet

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: Tabung Porcelain logam
• Tipe perisai: Cutting Shelding Tube yang tajam
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Tidak. Model.: PDFN5*6 SFG10R08GF
• Struktur: Difusi
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tingkat Daya: Daya Tinggi
• Material: Silikon
• Paket Transportasi: Carton
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: China
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum

SFGMOS^® MOSFET didasarkan pada desain perangkat unik Oriental Semiconductor yang akan mencapai RDS rendah_(ON), rendah gate, fast switching dan karakteristik longsor yang luar biasa.  Seri Vth yang rendah dirancang khusus untuk menggunakan sistem daya sertifikasi ulang sinkron dengan voltase penggerak rendah.
 

Fitur

• RDS RENDAH_(ON) &  FOM
•   Pengalihan alat ini sangat rendah
• Keandalan dan  keseragaman luar biasa
• Perpindahan cepat dan  pemulihan lunak

 

Aplikasi

•  Pengisi daya PD
•  Penggerak motor
• Regulator tegangan pengalihan
•  Konverter DC-DC
•  Catu daya mode alih

 

Parameter Kinerja Utama

 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min @ Tj(maks)	100	V
ID, Pulse	300	A
RDS(ON) MAKS @ VGS=10V	7	mΩ
QG	60.7	NC

Menandai Informasi

 

Nama Produk	Paket	Tanda
SF10R08GF	PDFN5*6	SF10R08G

 

Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tegangan sumber pengurasan	VDS	100	V
Tegangan sumber gerbang	VGS	±20	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 25	ID	100	A
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP	ID, Pulse	300	A
Diode kontinu maju rcurrenc1^), TC=25	ADALAH	100	A
Up diode berdenyut 2^), TC=25 SBP	ADALAH, Denyut	300	A
Pembangkang power terhadap 310^), TC=SBP 25	PD	148	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	130	J
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg,Tj	-55 hingga 150	SBP

 

Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.84	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4^)	RθJA	62	SBP C/W

Karakteristik listrik pada Tj=25 o C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras tegangan kerusakan sumber	BVDSS	100			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Tegangan ambang batas gerbang	VGS (th)	1.0		2.5	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		5.8	7.0	mΩ	VGS=10 V, ID=12 A
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		8.5	10.0	mΩ	VGS=4.5 V, ID=9 A
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=20 V
				-100		VGS=-20 V
Kuras arus kebocoran sumber	IDS			1	μA	VDS=100 V, VGS=0 V

 

Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		3530		PF	VGS=0 V, VDS=50  V, ƒ=1  MHz
Kapasitansi output			560		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		9.0		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		22.5		ns	VGS=10 V, VDS=50 V, RG=2 Ω, ID=10 A
Waktu kenaikan	tr		8.6		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		66.6		ns
Waktu turun	tf		42.1		ns

Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		60.7		NC	VGS=10 V, VDS=50 V, ID=10 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		7.2		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		14.6		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		2.9		V

Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=30 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		67		ns	VR=50 V, IS=10 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		160		NC
Arus pemulihan balik puncak	Irrm		3.9		A

Catatan

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan  temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh  temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan  resistan termal casing sambungan.
4.  Nilai   RθJA   diukur  dengan   perangkat  yang dipasang   pada    4 in 2 FR-1  board  dengan  2oz.  Tembaga, dalam lingkungan yang masih sama dengan Ta=25  C.
5. VDD=50 V,VGS=10 V, L=0.3 MH, memulai Tj=25 C.

 

Informasi pemesanan

 

Tipe Paket	Unit/gulungan	Kumpulan Foto / kotak dalam	Satuan/kotak dalam	Kotak dalam/ kotak karton	Unit/kotak karton
PDFN5*6-C	5000	2	10000	5	50000

Informasi Produk
 

Produk	Paket	Pb Bebas	RoHS	Bebas Halogen
SF10R08GF	PDFN5*6	ya	ya	ya

 

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau