Boost PFC Motor Control AEC-Q101 Sf04r013ugf Pdfn5 X 6 Tegangan mengemudi Rendah 40V Fast Switching dan Soft Recovery RDS (ON) 1.1mΩ , Mosfet

• Tipe: Inverter Catudaya untuk mobil
• Sertifikasi: CE, RoHS
• deskripsi: pengalihan alat berat yang sangat rendah
• karakteristik: stabilitas dan keseragaman unggul
• aplikasi: daya pc
• industri: lampu led
• Tidak. Model.: SFS04R013UGF PDFN5 x 6
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemiconductor
• Asal: China
• Kode HS: 854129000
• Kapasitas Produksi: 20kkkk/Monthly

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum
FSMOS® MOSFET didasarkan pada desain perangkat unik Oriental Semiconductor yang mencapai RDS rendah(ON), LOW gate Charge, fast switching dan karakteristik longsor yang luar biasa. Seri Vth yang rendah dioptimalkan secara khusus untuk sistem sertifikasi ulang sinkron dengan voltase penggerak rendah.


Fitur

• RDS rendah(ON) & FOM (Ilustrasi Merit)
• Pengalihan alat ini sangat rendah                                                                  
• Keandalan dan keseragaman luar biasa
• Perpindahan cepat dan pemulihan lunak
• AEC-Q101 memenuhi syarat untuk Aplikasi otomotif

Aplikasi

• Catu daya elektronik pelanggan
• Kontrol motor
• Perbaikan sinkron
• Konverter DC/DC terisolasi
• Inverter

Parameter Kinerja Utama

 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS	40	V
ID, Pulse	600	A
RDS(ON) MAKS @ VGS=10V	1.1	mΩ
QG	118.4	NC

Menandai Informasi

 

Nama Produk	Paket	Tanda
SFS04R01.13UGF	PDFN5 x 6	SFS04R01.13UG

 

 

Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tegangan sumber pengurasan	VDS	40	V
Tegangan sumber gerbang	VGS	±20	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 25	ID	200	A
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP	ID, Pulse	600	A
Diode kontinu maju rcurrenc1^), TC=25	ADALAH	200	A
Up diode berdenyut 2^), TC=25 SBP	ADALAH, Denyut	600	A
Pembangkang power terhadap 310^), TC=SBP 25	PD	178	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	144	J
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg,Tj	-55 hingga 175	SBP

Karakteristik termal
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.84	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

Karakteristik listrik pada Tj=25 o C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras tegangan kerusakan sumber	BVDSS	40			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Tegangan ambang batas gerbang	VGS (th)	1.2		2.5	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Kuras resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.9	1.1	mΩ	VGS=10 V, ID=20 A
Kuras resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		1.5	2.0	mΩ	VGS=6 V, ID=20 A
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=20 V
				-100		VGS=-20 V
Kuras arus kebocoran sumber	IDS			1	UA	VDS=40 V, VGS=0 V
Resistansi gerbang	RG		3.2		Ω	ƒ=1 MHz, Buka saluran pembuangan

Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		5453		PF	VGS=0 V, VDS=25 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output			1951		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		113		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		23.9		ns	VGS=10 V, VDS=40 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Waktu kenaikan	tr		16.9		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		80.4		ns
Waktu turun	tf		97.7		ns

Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		85.6		NC	VGS=10 V VDS=40 V, ID=40 A,
Pengisian sumber-gerbang	Pg		17.6		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		14.5		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		3.6		V

Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=20 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		71.1		ns	VR=40 V, IS=40 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		50.1		NC
Arus pemulihan balik puncak	Irrm		1.2		A

Catatan

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan resistan termal casing sambungan.
4. Nilai RθJA diukur dengan perangkat yang dipasang pada 1 in2 FR-4 board dengan 2oz. Tembaga, dalam lingkungan yang masih sama dengan Ta=25 C.

VDD=30 V,VG=10 V, L=0.3 MH, memulai Tj=25 C.