Peningkatan transistor T263 Sfg110n12kf Vd-120V ID-330A RDS (ON) -6,5miliohm QG-68,9nc Untuk Perlindungan Baterai, konverter DC-DC, N-Channel Power Mosfet

• Sertifikasi: RoHS, ISO
• Bentuk: Tabung Porcelain logam
• Tipe perisai: Cutting Shelding Tube yang tajam
• Metode Pendinginan: Tabung Berpendingin Udara
• Fungsi: Beralih Transistor
• Frekuensi Aktif: Frekuensi Tinggi
• Tidak. Model.: To263 SFG110N12KF
• Struktur: Planar
• Struktur Enkapsulasi: Chip Transistor
• Tingkat Daya: Daya Tinggi
• Material: Silikon
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemi
• Asal: Cina
• Kode HS: 8541290000
• Kapasitas Produksi: Over 1kk/Month

Deskripsi Produk

 Deskripsi Umum
SFGMOS®   MOSFET   didasarkan pada       desain perangkat unik Oriental Semiconductor   yang akan mencapai  RDS rendah(ON),    rendah gate, fast  switching  dan     karakteristik longsor yang luar biasa.    Seri Vth yang tinggi    dioptimalkan khusus    untuk sistem yang tinggi  dengan    tegangan penggerak gerbang  lebih dari  10 V.
 

Fitur
       RDS RENDAH(ON) &  FOM
         Pengalihan alat ini sangat rendah
       Stabilitas  dan  keseragaman unggul
       Perpindahan cepat  dan   pemulihan lunak


Aplikasi
         Catu daya mode alih
       Penggerak motor
       Perlindungan baterai
       Konverter DC-DC
       Inverter surya
      UPS  dan   inverter energi


  Parameter Kinerja Utama
 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min  @ Tj(maks)	120	V
ID,  Pulse	330	A
RDS(ON), MAKS  @ VGS  =10V	6.5	mΩ
QG	68.9	NC

  Peringkat Maksimum mutlak   pada Tj  =25 C  kecuali   dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tegangan sumber pengurasan	VDS	120	V
Tegangan sumber gerbang	VGS	±20	V
Aliran pengurasan Kontinu  ke saat ini) , TC=SBP 25	ID	110	A
Aliran Pulsed pengura2) , TC=SBP 25 C.	ID,  Pulse	330	A
Diode kontinu  maju rcurrenc1 ) , TC=25 SBP	ADALAH	110	A
Up diode  berdenyut  2) , TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	330	A
Pembangkang power terhadap 310) , TC=SBP 25	PD	192	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	400	J
Suhu pengoperasian dan   penyimpanan	Tstg , Tj	-55 hingga 150	SBP

 Karakteristik termal

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.65	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

 Karakteristik listrik   pada Tj  =25 C  kecuali   jika dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras           tegangan kerusakan sumber	BVDSS	120			V	VGS  =0  V, ID  =250 PA
Ambang batas gerbang tegangan	VGS (th)	2.0		4.0	V	VDS  =VGS , ID =250 PA
Pengurasan sumber  resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		5.0	6.5	MQ	VGS  =10 V, ID=30 A
Sumber-gerbang kebocoran  arus	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS  =20 V
				- 100		VGS  =-20 V
Pengurasan sumber kebocoran  arus	IDS			1	PA	VDS  =120 V, VGS  =0 V

Catatan
1)    menghitung   arus kontinu  berdasarkan      suhu sambungan maksimum yang diperbolehkan.
2)     Peringkat berulang;  lebar pulsa  dibatasi  oleh   temperatur persimpangan maks.
3)    Pd   tergantung    pada suhu persimpangan maks., menggunakan    persimpangan dan ketahanan termal kasus.
4)      nilai   RθJA   diukur  dengan   perangkat  yang dipasang  pada  4 in 2 FR-1 board  dengan 2oz. Tembaga, dalam     lingkungan yang masih sama   dengan Ta=25 C.
5)     VDD=50 V,VGS=10 V, L=0.3 MH, memulai  Tj  =25 SBP
 

 

Informasi pemesanan  
 

Paket Tipe	Satuan/ Tarik	Kumpulan Foto  /     kotak dalam	Satuan/    kotak dalam	Kotak dalam/   kotak karton	Unit/      kotak karton
-C	800	1	800	5	4000

 Informasi Produk

Produk	Paket	Pb  Bebas	RoHS	Bebas Halogen
SFG110N12KF		ya	ya	ya

 

Rantai pasokan

Deklarasi Produk Hijau