AEC-Q101 yang memenuhi Syarat, Aplikasi otomotif yang berkualifikasi, Mosfet

• Application: Lorry, Truck, Car, Mini Car, Microbus
• Certification: ISO, RoHS
• Power Supply: Battery
• Type: Car Electric Heating Cup
• deskripsi: pengalihan alat berat yang sangat rendah
• karakteristik: stabilitas dan keseragaman unggul
• Tidak. Model.: SFS04R038GF PDFN5x6
• aplikasi1: pengisi daya pd
• aplika2: penggerak motor
• aplikasi3: regulator tegangan pengalihan
• aplikasi4: konverter dc-dc
• aplikasi5: mengalihkan catu daya mode
• Paket Transportasi: Carton
• Spesifikasi: 35x30x37cm
• Merek Dagang: Orientalsemiconductor
• Asal: China
• Kode HS: 854129000
• Kapasitas Produksi: 20kkkk/Monthly

Deskripsi Produk

 

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum

FSMOS® MOSFET didasarkan pada desain perangkat unik Oriental Semiconductor yang mencapai RDS rendah(ON), LOW gate Charge, fast switching dan karakteristik longsor yang luar biasa. Seri Vth yang rendah dioptimalkan secara khusus untuk sistem sertifikasi ulang sinkron dengan voltase penggerak rendah.

Fitur

• RDS RENDAH(ON) & FOM
• Pengalihan alat ini sangat rendah
• Keandalan dan keseragaman luar biasa
• Perpindahan cepat dan pemulihan lunak
• AEC-Q101 memenuhi syarat untuk Aplikasi otomotif

Aplikasi

• Pengisi daya PD
• Penggerak motor
• Regulator tegangan pengalihan
• Konverter DC-DC
• Mengalihkan catu daya mode

Parameter Kinerja Utama

 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS	40	V
ID, Pulse	255	A
RDS(ON), MAKS @ VGS=10V	3.8	mΩ
QG	36.6	NC

Menandai Informasi

 

Nama Produk	Paket	Tanda
SFS04R01.38GF	PDFN5 x6	SFS04R01.38G

 

 

Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras tegangan sumber	VDS	40	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±20	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 25	ID	85	A
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP	ID, Pulse	255	A
Diode kontinu maju rcurrenc1^), TC=25	ADALAH	85	A
Up diode berdenyut 2^), TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	255	A
Pembangkang power terhadap 310^), TC=SBP 25	PD	78	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	43	J
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg, Tj	-55 hingga 175	SBP

Karakteristik termal
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	1.92	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4)	RθJA	62	SBP C/W

Karakteristik listrik pada Tj=25 o C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras tegangan kerusakan sumber	BVDSS	40			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Tegangan ambang batas gerbang	VGS (th)	1.5		2.5	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		3.5	3.8	mΩ	VGS=10 V, ID=30 A
Pengurasan sumber resistansi terhadap keadaan	RDS(ON)		5.4	7.0	mΩ	VGS=4.5 V, ID=30 A
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=20 V
				-100		VGS=-20 V
Kuras arus kebocoran sumber	IDS			1	μA	VDS=40 V, VGS=0 V
Resistansi gerbang	RG		4		Ω	ƒ=1 MHz, Buka saluran pembuangan

Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		2378		PF	VGS=0 V, VDS=25 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output			798		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		64		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		23		ns	VGS=10 V, VDS=20 V, RG=2 Ω, ID=20 A
Waktu kenaikan	tr		6.4		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		51.2		ns
Waktu turun	tf		9.6		ns

Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		36.6		NC	VGS=10 V, VDS=20 V, ID=20 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		7.6		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		5.7		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		3.3		V

Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=20 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		51.2		ns	VR=20 V, IS=20 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		31.8		NC
Arus pemulihan balik puncak	Irrm		1.2		A

Catatan

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan resistan termal casing sambungan.
4. Nilai RθJA diukur dengan perangkat yang dipasang pada 1 in2 FR-4 board dengan 2oz. Tembaga, dalam lingkungan yang masih sama dengan Ta=25 C.
5. VDD=30 V,VGS=10 V, L=0.3 MH, memulai Tj=25 C.