PC Power 3-Fase Vienna Topologi yang mengisi tumpukan Vds, Min @ Tj (maks) 700V ID, Osg65r035htf T247 Tegangan Tinggi Power Mosfet

• Manufacturing Technology: Optoelectronic Semiconductor
• Material: Element Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: BGA
• Signal Processing: Analog Digital Composite and Function
• Application: Refrigerator
• Tidak. Model.: OSG65R035HTF TO247
• Model: ST
• deskripsi: pengalihan alat berat yang sangat rendah
• karakteristik: stabilitas dan keseragaman unggul
• aplikasi: daya pc
• industri: lampu led
• Paket Transportasi: Air
• Merek Dagang: Orientalsemiconductor
• Asal: China
• Kode HS: 854129000
• Kapasitas Produksi: 20kkkk/Monthly

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum
GreenMOS® high voltage MOSFET menggunakan teknologi Charge balance untuk menghasilkan pelepasan tegangan rendah dan rendahnya muatan gerbang. Alat ini direkayasa untuk meminimalkan kerugian konduksi, memberikan kinerja perpindahan superior dan kemampuan longsor yang tangguh.
Seri GreenMOS® Generic dioptimalkan untuk performa switching ekstrem guna meminimalkan kerugian saat switch. Sistem ini dirancang untuk aplikasi dengan kerapatan daya yang tinggi guna memenuhi standar efisiensi yang tertinggi.

Fitur     
   RDS rendah(ON) & FOM
   Pengalihan alat ini sangat rendah
   Stabilitas dan keseragaman unggul

Aplikasi
   Daya PC
   Lampu LED
   Tenaga Telecom
   Server Power
   Pengisi Daya EV
   Solar/UPS


Parameter Kinerja Utama
 

Parameter	Nilai	Satuan
VDS, min @ Tj(maks)	700	V
ID, Pulse	240	A
RDS(ON), MAKS @ VGS=10V	35	mΩ
QG	153.6	NC

Menandai Informasi
 

Nama Produk	Paket	Tanda
OSG65R035HTF	TO247	OSG65R035HT

 

 

Peringkat Maksimum mutlak pada Tj=25 C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Kuras tegangan sumber	VDS	600	V
Tegangan sumber-gerbang	VGS	±30	V
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 25	ID	80	A
Aliran pengurasan Kontinu ke saat ini^), TC=SBP 100		50
Aliran Pulsed currenc2), TC=25 SBP	ID, Pulse	240	A
Diode kontinu maju rcurrenc1^), TC=25	ADALAH	80	A
Up diode berdenyut 2^), TC=25 SBP	ADALAH, Pulse	240	A
Pembangkang power terhadap 310^), TC=SBP 25	PD	455	W
Energi tunggal pulsed maka (pulsed).	EAS	1850	J
/dt ketangguhan,=0...480 V	dv/dt	50	V/ns
diode mundur dv/dt, VDS=0... 480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Suhu pengoperasian dan penyimpanan	Tstg, Tj	-55 hingga 150	SBP

 

Karakteristik termal
 

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan
Tahan termal, selubung persambungan	RθJC	0.27	SBP C/W
Tahan termal, sambungan ambi4^)	RθJA	62	SBP C/W

Karakteristik listrik pada Tj=25 o C kecuali dinyatakan lain

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kuras tegangan kerusakan sumber	BVDSS	600			V	VGS=0 V, ID=1 MA
		650				VGS=0 V, ID=1 mA, Tj=150 SBP
Tegangan ambang batas gerbang	VGS (th)	2.9		3.9	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Kuras resistan pada kondisi sumber	RDS(ON)		0.024	0.028	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0.06			VGS=10 V, ID=40A, TJ=150 SBP
Arus kebocoran sumber-gerbang	IGSS			100	Tidak tersedia	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Kuras arus kebocoran sumber	IDS			1	μA	VDS=600 V, VGS=0 V
Resistansi gerbang	RG		2.2		Ω	ƒ=1 MHz, Buka saluran pembuangan

Karakteristik dinamis

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Kapasitansi input	Swiss		7373		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Kapasitansi output			504		PF
Kapasitansi transfer mundur	Lumut		17		PF
Aktifkan waktu tunda	td(on)		42.5		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Waktu kenaikan	tr		71		ns
Waktu tunda nonaktifkan	td(off)		126.6		ns
Waktu turun	tf		3.7		ns

Karakteristik pengisian gerbang

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Total muatan gerbang	QG		181.8		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Pengisian sumber-gerbang	Pg		36.5		NC
Pengisian daya kuras gerbang	Qgd		49.5		NC
Tegangan Plateau gerbang	Dataran tinggi		5.5		V

Karakteristik body

Parameter	Simbol	Min.	Tip.	Maks.	Satuan	Kondisi Pengujian
Tegangan maju diode	VSD			1.3	V	IS=80 A, VGS=0 V
Waktu pemulihan mundur	trr		584		ns	VR=400 V, IS=40 A, Di/dt=100 A/μs
Pengisian daya pemulihan mundur	Qrr		12.8		μC
Arus pemulihan balik puncak	Irrm		39.8		A

Catatan

1. Arus kontinu terhitung berdasarkan temperatur hubung maksimum yang diperbolehkan.
2. Peringkat berulang; lebar pulsa dibatasi oleh temperatur persimpangan maks.
3. PD didasarkan pada temperatur sambungan maks., menggunakan resistan termal casing sambungan.
4. Nilai RθJA diukur dengan perangkat yang dipasang pada 4 in 2 FR-1 board dengan 2oz. Tembaga, dalam lingkungan yang masih sama dengan Ta=25 C.
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=79.9 MH, memulai Tj=25 C.

Informasi pemesanan
 

Tipe Paket	Unit/Tabung	Tabung/kotak dalam	Satuan/kotak dalam	Kotak dalam/ kotak karton	Unit/kotak karton
TO247-C	30	11	330	6	1980
TO247-J	30	20	600	5	3000

Informasi Produk
 

Produk	Paket	Pb Bebas	RoHS	Bebas Halogen
OSG60R028HTF	TO247	ya	ya	ya

Sanggahan Legal
Informasi yang diberikan dalam dokumen ini tidak boleh dianggap sebagai jaminan kondisi atau karakteristik. Sehubungan dengan setiap contoh atau petunjuk yang diberikan di sini, setiap nilai umum yang dinyatakan di sini dan/atau setiap informasi terkait penerapan perangkat, Oriental Semiconductor dengan ini menyangkal semua garansi dan kewajiban segala bentuk, termasuk tanpa pembatasan, jaminan bukan pelanggaran hak kekayaan intelektual dari pihak ketiga mana pun.